Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, de hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
200
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200
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, de hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.