Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC