Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
110
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
100
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
100
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
110
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.