Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
210 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
210 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm