MOSFET onsemi 3LP01C-TB-E, VDSS 30 V, ID 100 mA, CP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
CP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
54 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,43 nC a 10 V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
CP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
54 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,43 nC a 10 V
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