Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
PCP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
PCP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1,5 W
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.5 x 2.5 x 1.5mm