Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TP-FA
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
290 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
700
P.O.A.
700
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TP-FA
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
290 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.