Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-41
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1000V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.1V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Diámetro
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
País de Origen
China
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P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
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ON SemiconductorTipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-41
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1000V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.1V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Diámetro
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
País de Origen
China