JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
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