JFET, PMBFJ177,215, P-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal P, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P
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1.5 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
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