JFET, PMBFJ110,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Name: JFET, PMBFJ110,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
Brand: NXP
SKU: 6263241P

Código de producto RS: 626-3241PMarca: NXPNúmero de parte de fabricante: PMBFJ110,215

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

min. 10mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Longitud:

3mm

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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Brand

NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

min. 10mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Longitud:

3mm

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.