MOSFET NXP BUK9575-100A,127, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Longitud
10.3mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Longitud
10.3mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products