Transistor MOSFET NXP BLF248,112, VDSS 65 V, ID 25 A, CDFM de 5 pines, 2elementos

Código de producto RS: 626-3049Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BLF248,112
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

65 V

Tipo de Encapsulado

CDFM

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

10.29mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

34.17mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Ganancia de Potencia Típica

13 dB

Altura

5.77mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China

Datos del producto

MOSFET de canal N, NXP

MOSFET Transistors, NXP

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Transistor MOSFET NXP BLF248,112, VDSS 65 V, ID 25 A, CDFM de 5 pines, 2elementos

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

10.29mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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