Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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10 - 90 | € 0,322 | € 3,22 |
100 - 240 | € 0,254 | € 2,54 |
250 - 990 | € 0,223 | € 2,23 |
1000+ | € 0,18 | € 1,80 |
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NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.