JFET, BF861C,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 124-2284Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BF861C,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 25mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, BF861C,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
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Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 25mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

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