Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPConfiguración de diodo
Series
Corriente Máxima Directa
215mA
Número de Elementos por Chip
2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
100V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
1.5pF
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origen
China
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P.O.A.
3000
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Corriente Máxima Directa
215mA
Número de Elementos por Chip
2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
100V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
1.5pF
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origen
China