Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPConfiguración de diodo
Series
Número de Elementos por Chip
2
Corriente Máxima Directa
50mA
Tensión Inversa Máxima
50V
Typical Carrier Life Time
0.55µs
Tensión Máxima Directa
1.1V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UMT
Conteo de Pines
3
Capacitancia Máxima del Diodo
0.35pF
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
2.5 Ω@ 10 mA
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
2.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
1.35mm
País de Origen
China
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P.O.A.
10
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Número de Elementos por Chip
2
Corriente Máxima Directa
50mA
Tensión Inversa Máxima
50V
Typical Carrier Life Time
0.55µs
Tensión Máxima Directa
1.1V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UMT
Conteo de Pines
3
Capacitancia Máxima del Diodo
0.35pF
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
2.5 Ω@ 10 mA
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Altura
1mm
Longitud
2.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
1.35mm
País de Origen
China