Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPConfiguración de diodo
Single
Corriente Máxima Directa
100mA
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
35V
Tipo de Encapsulado
UMD
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1V
Capacitancia Máxima del Diodo
0.9pF
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.8mm
Ancho
1.35mm
Altura
1.05mm
Dimensiones del Cuerpo
1.8 x 1.35 x 1.05mm
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
0.5 Ω @ 10 mA
Datos del producto
Diodos de conmutación de banda RF, NXP Semiconductors
Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors
NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.
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P.O.A.
6000
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6000
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NXPConfiguración de diodo
Single
Corriente Máxima Directa
100mA
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
35V
Tipo de Encapsulado
UMD
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1V
Capacitancia Máxima del Diodo
0.9pF
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.8mm
Ancho
1.35mm
Altura
1.05mm
Dimensiones del Cuerpo
1.8 x 1.35 x 1.05mm
Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo
0.5 Ω @ 10 mA
Datos del producto
Diodos de conmutación de banda RF, NXP Semiconductors
Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors
NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.