MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 798-3028Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PSMN7R0-60YS,115
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Ancho

4.1mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 1,567

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 1,567

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Ancho

4.1mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more