Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Ancho
4.1mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 1,567
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
5
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NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Ancho
4.1mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto