Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
148 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
16mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40V a 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 47,22
€ 1,18 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
40
€ 47,22
€ 1,18 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
40
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
40 - 96 | € 1,18 | € 4,72 |
100 - 196 | € 1,108 | € 4,43 |
200 - 396 | € 1,023 | € 4,09 |
400+ | € 0,941 | € 3,76 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
148 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
42,3 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
16mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto