MOSFET Nexperia PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
8,36 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,7 NC a 10 V.
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1mm
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120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
8,36 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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