MOSFET Nexperia PMF170XP,115, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-323 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
1.67 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,6 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 137,67
$ 0,046 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 0,046 | $ 137,67 |
| 9000+ | $ 0,046 | $ 137,67 |
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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