MOSFET Nexperia PMCM6501VPEZ, VDSS -12 V, ID -8,2 A, WLCSP de 2 pines, 3elementos, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
-8.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-12 V
Tipo de Encapsulado
WLCSP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
-0.4V
Disipación de Potencia Máxima
12500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,6 nC
Ancho
0.95mm
Número de Elementos por Chip
3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.315mm
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P.O.A.
4500
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
-0.4V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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