MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA, 350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω, 7,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
990 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Malaysia
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω, 7,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
990 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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