MOSFET Nexperia NX1029X,115, VDSS 50 V, 60 V, ID 170 mA, 330 mA, SOT-666 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA, 330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,271 | € 13,57 |
| 150 - 250 | € 0,165 | € 8,24 |
| 300 - 550 | € 0,16 | € 8,01 |
| 600 - 1150 | € 0,157 | € 7,84 |
| 1200+ | € 0,153 | € 7,66 |
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Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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