MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
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±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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