MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,335
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
30
€ 0,335
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products