Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,349
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,349 | € 3,48 |
50 - 90 | € 0,333 | € 3,33 |
100 - 240 | € 0,278 | € 2,78 |
250 - 490 | € 0,261 | € 2,61 |
500+ | € 0,243 | € 2,43 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto