Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,131
Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
100
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,131 | € 13,10 |
200 - 400 | € 0,112 | € 11,23 |
500 - 900 | € 0,102 | € 10,18 |
1000 - 1900 | € 0,054 | € 5,38 |
2000+ | € 0,053 | € 5,26 |
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto