Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,026
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
100
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NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
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