Transistor Darlington, BSP61,115, PNP -1 A, 60 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-0.00005mA
Altura
1.7mm
Profundidad
3.7mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
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Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-0.00005mA
Altura
1.7mm
Profundidad
3.7mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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