MOSFET Nexperia BSN20BKR, VDSS 60 V, ID 330 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 136-4845PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSN20BKR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Series

BSN20BK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,49 nC a 4,5 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 0,138 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
600 - 1400€ 0,138€ 13,84
1500+€ 0,12€ 11,97

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Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Series

BSN20BK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.67 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.4mm

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,49 nC a 4,5 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

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