Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
260 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,144
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
200
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
200 - 1400 | € 0,144 | € 28,72 |
1600+ | € 0,096 | € 19,15 |
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
260 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto