MOSFET Nexperia 2N7002PS,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,33 | € 16,49 |
| 100 - 200 | € 0,142 | € 7,08 |
| 250 - 450 | € 0,134 | € 6,72 |
| 500 - 950 | € 0,127 | € 6,37 |
| 1000+ | € 0,11 | € 5,50 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 2,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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