MOSFET Nexperia 2N7002P,215, VDSS 60 V, ID 360 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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| 9000+ | € 0,036 | € 108,76 |
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Tipo de montaje
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
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Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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