MOSFET Nexperia 2N7002,215, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
830 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 4,50
€ 0,03 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
€ 4,50
€ 0,03 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
150
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,03 | € 0,75 |
| 750 - 1475 | € 0,029 | € 0,72 |
| 1500+ | € 0,028 | € 0,69 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
830 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
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