Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 0,229
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
25
€ 0,229
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 125 | € 0,229 | € 5,73 |
150 - 725 | € 0,104 | € 2,60 |
750 - 1475 | € 0,098 | € 2,46 |
1500+ | € 0,063 | € 1,58 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto