MOSFET Nexperia 2N7002,215, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 4,84
€ 0,032 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
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Empaque de Producción (Rollo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,032 | € 0,81 |
| 750 - 1475 | € 0,031 | € 0,78 |
| 1500+ | € 0,029 | € 0,72 |
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-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
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