MOSFET Nexperia 2N7002,215, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 89,70
€ 0,03 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,03 | € 89,70 |
| 6000 - 12000 | € 0,03 | € 89,70 |
| 15000 - 27000 | € 0,028 | € 82,52 |
| 30000 - 57000 | € 0,028 | € 82,52 |
| 60000+ | € 0,026 | € 78,94 |
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TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Altura
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