MOSFET Microchip TN0110N3-G, VDSS 100 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 177-9742Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: TN0110N3-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Microchip

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

TN0110

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4.06mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.08mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

5.33mm

País de Origen

Taiwan, Province Of China

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€ 1,181

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Microchip TN0110N3-G, VDSS 100 V, ID 350 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 11,81
20€ 23,62
30€ 33,68
40€ 44,91
50€ 56,14
60€ 67,36
70€ 78,59
80€ 89,82
90€ 101,04
100€ 101,86
110€ 112,05
120€ 122,24
130€ 132,42
140€ 142,61
150€ 152,80

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30 - 90€ 1,123€ 11,23
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N

Maximum Continuous Drain Current

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TO-92

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

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Ancho

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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