Doble uso

Memoria flash, Paralelo SST39SF010A-70-4I-WHE 1MB, 128K x 8 bits, 70ns, TSOP, 32 pines

Código de producto RS: 823-4507PMarca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: SST39SF010A-70-4I-WHE
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1MB

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

32

Organización

128K x 8 bits

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

Split Gate

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Organización de Bloques

Simétrico

Largo

8.1mm

Altura

1.05mm

Ancho

12.5mm

Dimensiones del Cuerpo

12.5 x 8.1 x 1.05mm

Series

SST39

Número de Palabras

128K

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

70ns

Datos del producto

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM

Flash Memory, Microchip

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Bandeja
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32

Organización

128K x 8 bits

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

Split Gate

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Organización de Bloques

Simétrico

Largo

8.1mm

Altura

1.05mm

Ancho

12.5mm

Dimensiones del Cuerpo

12.5 x 8.1 x 1.05mm

Series

SST39

Número de Palabras

128K

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

70ns

Datos del producto

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Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
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Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
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