Memoria flash, SPI SST26VF032B-104I/TD 32Mbit, Simétrico, TFBGA, 24 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
32Mbit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Tipo de Encapsulado
TFBGA
Conteo de Pines
24
Organización
Simétrico
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
Split Gate
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
8 x 6 x 0.85mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B
La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.
Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.
Características
Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), borrado de chip de 35 ms (típico)
Capacidad de borrado flexible
Software de protección contra escritura
Flash Memory, Microchip
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Tipo de Célula
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Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
8 x 6 x 0.85mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B
La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.
Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.
Características
Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), borrado de chip de 35 ms (típico)
Capacidad de borrado flexible
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