AEC-Q100 Memoria flash, SPI SST26VF032B-104I/SM 32Mbit, 4M x 8 bits, 3ns, SOIJ, 8 pines

Código de producto RS: 869-6173PMarca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: SST26VF032B-104I/SM
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

32Mbit

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Tipo de Encapsulado

SOIJ

Conteo de Pines

8

Organización

4M x 8 bits

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

Split Gate

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Organización de Bloques

Simétrico

Longitud:

5.26mm

Altura

1.98mm

Ancho

5.25mm

Dimensiones del Cuerpo

5.26 x 5.25 x 1.98mm

Series

SST26

Número de Palabras

4M

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

3ns

Datos del producto

Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B

La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.

Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.

Características

Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), borrado de chip de 35 ms (típico)
Capacidad de borrado flexible
Software de protección contra escritura

Flash Memory, Microchip

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24 - 98€ 1,913€ 3,83
100+€ 1,878€ 3,76

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3.6 V

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Ancho

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Dimensiones del Cuerpo

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4M

Temperatura Mínima de Operación

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Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

3ns

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Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B

La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.

Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.

Características

Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
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