MOSFET Microchip LND150N8-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-243AA de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 829-3253Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: LND150N8-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Microchip

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-243AA

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 kΩ

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

1.6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

2.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

4.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas

Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones

MOSFET Transistors, Microchip

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$ 17,69

$ 0,885 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 17,69
40$ 33,63
60$ 50,45
80$ 67,26
100$ 77,50
120$ 93,00
140$ 108,50
160$ 124,00
180$ 139,50
200$ 155,00
220$ 170,51
240$ 186,01
260$ 201,51
280$ 217,01
300$ 232,51

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220$ 170,51
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 20$ 0,885$ 17,69
40 - 80$ 0,841$ 16,82
100+$ 0,775$ 15,50

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N

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500 V

Tipo de Encapsulado

TO-243AA

Tipo de montaje

Surface Mount

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 kΩ

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

1.6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Longitud

4.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas

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