MOSFET Microchip LND01K1-G, VDSS 9 V, ID 330 mA, SOT-23 de 5 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-5338Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: LND01K1-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

9 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Depletion

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +0.6 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

125 °C

Material del transistor

Si

Longitud

3.05mm

Ancho

1.75mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.3mm

Temperatura Mínima de Operación

-25 °C

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N LND01

Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Bidireccional
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo

MOSFET Transistors, Microchip

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

9 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Depletion

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +0.6 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

125 °C

Material del transistor

Si

Longitud

3.05mm

Ancho

1.75mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.3mm

Temperatura Mínima de Operación

-25 °C

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N LND01

Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características

Bidireccional
Baja resistencia
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