MOSFET Microchip DN3765K4-G, VDSS 650 V, ID 300 mA, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.2mm
Profundidad
6.73mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
MOSFET Transistors, Microchip
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P.O.A.
2000
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.2mm
Profundidad
6.73mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
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