MOSFET Microchip DN2540N5-G, VDSS 400 V, ID 500 mA, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.7mm
Profundidad
4.826mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
MOSFET Transistors, Microchip
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,646 | € 8,23 |
| 25 - 95 | € 1,599 | € 8,00 |
| 100+ | € 1,541 | € 7,71 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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25 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.7mm
Profundidad
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Si
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-55 °C
Altura
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Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
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Alta impedancia de entrada
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Baja resistencia
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