Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.7mm
Profundidad
4.826mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones
MOSFET Transistors, Microchip
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€ 1,646
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,646 | € 8,23 |
25 - 95 | € 1,599 | € 8,00 |
100+ | € 1,541 | € 7,71 |
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Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.7mm
Profundidad
4.826mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.
Características
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada
Aplicaciones típicas
Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones