Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-14 V, +14 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.26mm
Ancho
2.49mm
Material del transistor
Si
Altura
21.46mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
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P.O.A.
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-14 V, +14 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.26mm
Ancho
2.49mm
Material del transistor
Si
Altura
21.46mm
Datos del producto