MOSFET Magnatec 2N6796, VDSS 100 V, ID 8 A, TO-39 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-39
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
9.4mm
Ancho
9.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.57mm
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
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P.O.A.
30
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
9.4mm
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
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Altura
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