Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
34 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
53 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.13mm
Datos del producto
Súper empalme MOSFET (SJ)
Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.
EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
5
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
34 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
53 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.13mm
Datos del producto
Súper empalme MOSFET (SJ)
Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.
EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento